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ONTOS CLEAN 是一款用于表面處理的半自動化系統。它采用的大氣等離子技術,其獨特設計可在無需任何改動的情況下實現氧化或還原反應。
ONTOS CLEAN 能夠進行清潔、去除有機污染物、活化表面并消除氧化層。
該創新工藝通過施加氣態鈍化層,延緩金屬表面的再氧化。
去除金屬和半導體表面的原生氧化層
經過特殊設計的表面終止層可壓制再氧化
去除殘留的有機污染物膜
快速、無毒、在常壓下進行的干法工藝
低能表面化學反應——對CMOS安全
是直接鍵合的理想表面處理方案
結構緊湊
支持自動化
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產地 |
法國 |
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等離子腔體 / 噴頭規格(3 種標配) |
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有效處理幅寬 |
25mm / 40mm / 105mm 三款等離子密封噴頭,輝光等離子全封閉在噴頭內部,無外溢離子轟擊工件 |
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放電類型 |
封閉式 DBD 介質阻擋輝光常壓等離子,同一噴頭免改氣源切換氧化 / 還原工藝 |
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處理間距 |
噴頭與工件固定標準 3~8mm(出廠標定) |
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等離子溫度 |
低溫制程<45℃,CMOS、裸芯片無熱損傷 |
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RF 射頻電源參數 |
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工作頻率 |
13.56MHz工業射頻標準 |
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輸出功率 |
60~100W 連續可調,內置全自動阻抗匹配網絡 |
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功率監控 |
實時正向 / 反射功率采集、過載聯鎖斷電保護 |
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電源制式 |
內置整機 EMC、ESD 防雷防靜電設計 |
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X-Y-Z 數控運動平臺(半自動化載臺) |
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適用工件尺寸 |
芯片 Die / 晶圓 2mm~300mm(12 寸),兼容 2 寸 / 4 寸 / 6 寸 / 8 寸 / 12 寸晶圓ONTOS |
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工件厚度 |
標配帶頂針≤20mm;拆除頂針更大承載 30mm |
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掃描速度 |
1.0~5.0mm/s 可編程無級調速,工藝配方鎖定速度參數ONTOS |
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固定方式 |
真空吸附吸盤 + 升降頂針,真空源:20~25inHg 負壓 |
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軸行程 |
X 軸≥320mm、Y 軸≥320mm、Z 軸手動微調(升降噴頭) |
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氣路控制系統(MFC 氣體模組) |
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氣路通道 |
標配6 路高精度數字 MFC 質量流量計,1/4 寸特氟龍 + 卡套管路(Swagelok 接頭) |
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標配工藝氣體 |
載氣:Ar 氬氣、He 氦氣;工藝氣:O?氧氣(氧化除膠活化)、H?氫氣(金屬除氧化層)、N?氮氣(鈍化防返氧化) |
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氣源壓力 |
0.3~0.5MPa,半導體級高純氣源 |
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尾氣排放 |
1~3CFM 風量直排,無需廢氣洗滌塔 / 水洗裝置 |
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電控與操作系統(半自動化定義) |
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人機 |
工業觸控屏 + LabVIEW 定制控制系統,多組工藝 Recipe 配方存儲調用(不限條數) |
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安全 |
整機 ESD 防靜電柜體、柜門安全互鎖,開門即切斷等離子輸出 |
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運行模式 |
人工上下料(半自動)→存儲配方一鍵啟動→平臺自動掃描處理;預留 IO 接口可后期改全自動連線 |
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電氣安裝條件 |
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供電 |
單相 110/240VAC,50/60Hz,額定 4~8A |
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工藝功能參數 |
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除膠 |
O?等離子去除光刻殘膠、脫模劑、有機污染物 |
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活化 |
提升塑膠 / 陶瓷 / 金屬表面能,強化點膠、鍵合、粘接 |
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還原 |
H?去除 Cu、Al、Au、Si 原生氧化層 |
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鈍化 |
N?氣相鈍化,壓制清洗后金屬二次返氧化 |
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整機物理尺寸 |
柜體立式一體化,占地約:W750×D700×H1250mm |
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凈重≈125kg,潔凈車間 Class1000 適配 |
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半導體封裝:倒裝芯片、晶圓鍵合前清洗、BGA/COB 焊盤除氧化;
微電子器件:PCB 焊盤、射頻元器件、MEMS 芯片表面活化;
光電 :光學鏡片;
新材料:陶瓷、金屬、塑膠粘接前表面改性。