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          COHERENT發(fā)射器APA4301010002
          • COHERENT發(fā)射器APA4301010002

          COHERENT發(fā)射器APA4301010002

          產(chǎn)品介紹

          當(dāng)您需要滿(mǎn)足高速數(shù)據(jù)通信的嚴(yán)格規(guī)范時(shí),請(qǐng)使用我們的 850 nm VCSEL 陣列,可選擇 10G、25G、50G PAM4 和 100G PAM4 VCSEL。每個(gè) VCSEL 發(fā)射器都以多種橫向模式和單一縱向模式工作,并發(fā)出低發(fā)散的圓形對(duì)稱(chēng)光束,可有效耦合到 50/125 和 62.5/125 μm 多模光纖中。提供單芯片、4 通道和 12 通道陣列。

          性能特點(diǎn)

          850 nm 多模發(fā)射

          光譜寬度低

          閾值和工作電流低

          可靠性高

          高防潮性,符合 GR468 標(biāo)準(zhǔn)

          低電寄生

          數(shù)據(jù)傳輸速率從直流到 10 Gb/s

          雙頂觸點(diǎn)配置,共陰極電極

          可提供單芯片、4 通道和 12 通道陣列

          符合 RoHS 規(guī)范

          選型指南

          APA4301010302:數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 芯片 包裝:金屬引線(xiàn)框架上的切割晶片

          APA4301040302:數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 陣列 包裝:金屬引線(xiàn)框架上的切割晶片

          APA4301120302:數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 陣列 包裝:金屬引線(xiàn)框架上的切割晶片

          APA4301010102:數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 芯片 包裝:陣列握環(huán)

          APA4301040102:數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 包裝:陣列握環(huán)

          APA4301120102:數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 包裝:陣列握環(huán)

          APA4301010202:數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 陣列 包裝:Gel-Pak

          APA4301040202:數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 陣列 包裝:Gel-Pak

          APA4301120202:數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 陣列 包裝:Gel-Pak

          可選功能與配件

          運(yùn)輸包裝選項(xiàng):

          切丁晶片,UV 膠帶,金屬引線(xiàn)框架

          握環(huán)

          凝膠包裝

          技術(shù)參數(shù)

          產(chǎn)地:美國(guó)

          閾值電流 Ith:0.8 至 1.1 mA

          斜率效率 η I = 4 mA:0.34 至 0.52 mW/mA

          光輸出功率 Pout Iop = 5 mA:1.4 至 2.2 mW

          工作電壓 Uop Iop = 5 mA:1.9 至 2.1 V

          差分電阻 Rd Iop = 5 mA:45 至 75 Ω

          發(fā)射波長(zhǎng) λ Iop = 5 mA,T = -10 至85 ℃:840 至 860 nm

          光譜寬度,有效值 ?λ Iop = 5mA, T = -10 至 85 ℃:0.4 nm

          調(diào)制帶寬 f3dB Iop = 5mA:9 GHz

          上升時(shí)間 tr Iop = 5mA,ER = 5dB,20 至 80 %:30 至 35 ps

          下降時(shí)間 tf Iop = 5 mA,ER = 5 dB,20 至 80%:40 至 45 ps

          電容 C Iop = 5 mA:0.2 至 0.3 pF

          光束發(fā)散 Θ Iop = 5 mA,全寬 1/e2:24 至 30 °

          相對(duì)強(qiáng)度噪聲 RIN(OMA) Iop = 5 mA,ER = 5 dB,7.7 GHz 帶寬:-128 dB/Hz

          1x4 和 1x12 陣列芯片的閾值一致性 ?Ith 范圍:0.15 mA

          斜率效率均勻性 ?η:0.05 mW/mA

          光輸出功率:8 mW

          峰值正向電流(Max 10 秒):12 mA

          VCSEL 反向電壓:5 V

          工作溫度:-10 至 +85 ℃

          存儲(chǔ)溫度:-40 至 +100 ℃

          安裝溫度(Max 10 秒):260 ℃

          芯片外部尺寸

          Min;典型值;Max

          模具長(zhǎng)度:210;230;250 µm

          模具長(zhǎng)度:960;980;1000 µm

          模具長(zhǎng)度:2960;2980;3000 µm

          模具寬度:260;280;300 µm

          模具高度:135;150;165 µm

          產(chǎn)品尺寸

          產(chǎn)品應(yīng)用

          單通道和并行光纖通信鏈路,10 Gb/s可達(dá) 300 米、智能電纜、HDMI


          產(chǎn)品中心
          客戶(hù)中心
          合作平臺(tái)
          關(guān)于賽力斯
          聯(lián)系我們
          賽力斯服務(wù)熱線(xiàn)
          400-888-1375
          公司郵箱
          sales@celiss.com
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